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AP25P06K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP25P06K product

AP25P06K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTO-252

Der AP25P06K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 60V und 25A im TO-252-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • High-Side-Schaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-25 A
RDS(ON)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

fa07f57dc50a68b59e0f26ba157cae4d_2204131745_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP25P06K_C2995326.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP25P06K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochstrom-Lastanwendungen entwickelt wurde und auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.