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AP2P053N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP2P053N product

AP2P053N

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-23S

Der AP2P053N ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für effiziente Niederspannungsanwendungen im kompakten SOT-23S-Gehäuse.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -20V
  • Hochstromdesigns mit hohem Kühlbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4,2 A
RDS(ON)
65 mΩ
Gehäuse
SOT-23S

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

DC/DC-Wandler

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP2P053N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist und eine Drain-Source-Spannung von -20V sowie einen Dauerstrom von -4,2A bietet.