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AP30H80G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP30H80G product

AP30H80G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETLeistungTrench

Der AP30H80G ist ein 30V, 70A N-Kanal-MOSFET im PDFN5X6-8L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Power-Management optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschaltung
  • Allgemeines Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V
  • Platzkritische Designs, bei denen das PDFN5X6-8L-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
70 A
RDS(on)
6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP30H80G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP30H80G ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Power-Management-, PWM- und Lastschaltanwendungen.