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AP30H80Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP30H80Q product

AP30H80Q

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V70APDFN3X3-8L

Der AP30H80Q ist ein 30V, 70A N-Kanal-MOSFET im PDFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Power-Management.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Power-Management-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 30V
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
70 A
RDS(on)
6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementPWM-Steuerung

Datenblatt

c5d23cd7361c472446706e8db8b74419.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP30H80Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP30H80Q ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten ausgelegt ist.