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AP30T10GH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP30T10GH product

AP30T10GH

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-252

Der AP30T10GH ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für allgemeine Schaltanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 55mΩ erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen das TO-252-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
19 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

abaa70bd741f24e44c2424e9fd87c033_2403271727_APEC-Advanced-Power-Elec-AP30T10GH_C5253032.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP30T10GH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V.