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AP3910GD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP3910GD product

AP3910GD

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärLeistungTrench

Der AP3910GD ist ein komplementärer N- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen wie H-Brücken und Wechselrichter optimiert ist.

Ideal für

  • H-Brücken-Motorsteuerungen
  • DC-AC-Wechselrichter
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem schnelle Schaltvorgänge außerhalb der dynamischen Eigenschaften des Bauteils erfordern
  • Designs, bei denen Platzbeschränkungen die Verwendung eines 5x6mm-Footprints verhindern

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS (N/P)
30V / -30V
ID (N/P)
36A / -30A
RDS(on) (N/P)
12mΩ / 14mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungLeistungswechselrichter

Datenblatt

ac89af952eac8683b7df3f9e60301c7d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP3910GD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP3910GD ist ein komplementärer N- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde und fortschrittliche Trench-Technologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.