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AP3912GD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP3912GD product

AP3912GD

MOSFETs - Arrays

Dual-MOSFETN-KanalP-Kanal30V

Der AP3912GD ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im PDFN5X6-Gehäuse, optimiert für Power-Management- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Stromversorgungs-Management
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Schwellenspannungen unter 1V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout für Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
30V / -30V
Id
36A / -28A
Rds(on)
13mΩ / 15mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgungs-ManagementIndustrielle Schaltung

Datenblatt

a19bc91688229e226e4670500e6afa1e_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP3912GD_C5443715.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP3912GD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im Anreicherungsmodus, das für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde.