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AP3N5R0MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP3N5R0MT product

AP3N5R0MT

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VPMPAK 5x6

Der AP3N5R0MT ist ein 30V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente DC-DC-Wandler im kompakten PMPAK 5x6-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Spannungsfestigkeiten (>30V) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
61 A
RDS(on)
5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP3N5R0MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten auszeichnet.