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AP3P7R0EMT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP3P7R0EMT product

AP3P7R0EMT

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistung

Der AP3P7R0EMT ist ein leistungsstarker P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Spannungswandlungs- und Energiemanagementanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Spannungswandlung
  • Energiemanagement
  • Hocheffizientes Schalten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-MOSFETs erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen PMPAK 5x6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-75 A
RDS(on)
7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

62a53734097473ac866be3c9263b0f31_2403271727_APEC-Advanced-Power-Elec-AP3P7R0EMT_C5253023.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP3P7R0EMT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Advanced Power Electronics Corp., der in einem PMPAK 5x6-Gehäuse untergebracht ist.