AP4501AGEM Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Wuzhou Ally Protect Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

AP4501AGEM product

Der AP4501AGEM ist ein dualer N- und P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und allgemeine Stromschaltanwendungen.

Ideal für

DC/DC-Wandler
Lastschaltung

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen über 2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel
Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

N-Kanal VDS: 30V
P-Kanal VDS: -30V
N-Kanal RDS(ON): 20mΩ
P-Kanal RDS(ON): 60mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungDC/DC-Wandler

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP4501AGEM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen (N- und P-Kanal) Anreicherungs-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage.