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AP4910GD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP4910GD product

AP4910GD

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalKomplementärDFN5X6

Der AP4910GD ist ein komplementärer N- und P-Kanal-MOSFET im DFN5X6-Gehäuse, optimiert für effizientes Power-Management und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Allgemeines Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 2.5V
  • Designs, bei denen das DFN5X6-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
30A / -40A
RDS(on)
14mΩ / 13.5mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power-ManagementIndustrielle Schaltanwendungen

Datenblatt

baaf5995241ef52351dcbedb71965eff.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP4910GD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP4910GD ist ein Dual-MOSFET-Array mit N- und P-Kanal-Enhancement-Mode-Transistoren in einem oberflächenmontierbaren DFN5X6-Gehäuse.