AP4N2R6H Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Wuzhou Ally Protect Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

AP4N2R6H product

Der AP4N2R6H ist ein leistungsstarker 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Stromeffizienz.

Ideal für

Netzteile
DC-DC-Wandler
Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringer Leistung und begrenztem Platz, bei denen ein kleineres Gehäuse erforderlich ist.

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung und PCB-Kupferfläche für die Kühlung.

Wichtige Specs

VDS: 40 V
ID: 150 A
RDS(on): 2,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP4N2R6H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.