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AP50N04QD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP50N04QD product

AP50N04QD

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal40VPDFN3X3

Der AP50N04QD ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im PDFN3X3-Gehäuse, ausgelegt für 40V und 20A, ideal für kompakte Stromversorgungs- und PWM-Anwendungen.

Ideal für

  • PWM-Controller
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 40V oder Dauerströmen über 20A.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout für das PDFN3X3-Gehäuse.

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
20 A
RDS(on)
13 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungPWM-Schaltungen

Datenblatt

8d3a6e4296494d9a000584dcfdaf70bc_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP50N04QD_C5443706.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP50N04QD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten in Leistungsanwendungen entwickelt wurde.