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AP6P025M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP6P025M product

AP6P025M

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistungSO-8

Der AP6P025M ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -60V in einem SO-8-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten in Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Stromschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochleistungsdesigns, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Ableitung der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-7.3 A
RDS(on)
25 mΩ
Gehäuse
SO-8

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungDC/DC-Wandler

Datenblatt

5aa6d5f72b57050df2aa65d39daa73cb_2403271727_APEC-Advanced-Power-Elec-AP6P025M_C5185131.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP6P025M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP6P025M ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde und eine Drain-Source-Spannung von -60V sowie einen Einschaltwiderstand von 25mΩ bietet.