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AP80N06DH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP80N06DH product

AP80N06DH

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60V80A

Der AP80N06DH ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für 60V und 80A, der für Power-Management, Lastschalter und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladungen oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kühlkörperanforderungen.

Wichtige Specs

Vds
60 V
Id
80 A
Rds(on)
7,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power-ManagementLastschalter

Datenblatt

a9c6a9634c28caf96ec6afe8420fdcdc_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP80N06DH_C5443670.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP80N06DH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET in Trench-Technologie, der für Anwendungen mit hohen Strömen konzipiert ist.