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AP80N06H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP80N06H product

AP80N06H

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60V80ATO-220

Der AP80N06H ist ein 60V, 80A N-Kanal-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschalter
  • Netzteilregelung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern
  • Anwendungen über 60V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
80 A
Rds(on)
7.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsmanagementPWM-Steuerung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP80N06H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP80N06H ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstromanwendungen, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltzeiten auszeichnet.