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APG032N04G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

APG032N04G product

APG032N04G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V100APDFN5X6

Der APG032N04G ist ein 40V, 100A N-Kanal-MOSFET im PDFN5X6-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 3V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Treiber-Schaltung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
100 A
RDS(on)
3,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementLastschalter

Datenblatt

3537b14710e7404ec2e7cb0804396540_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-APG032N04G_C5443668.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für APG032N04G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.