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APG038N01G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

APG038N01G product

APG038N01G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der APG038N01G ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, optimiert für Power-Management- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Power-Management-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 3V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
104 A
RDS(on)
3,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementIndustrie

Datenblatt

e84f02f7b8ee94054be3a2b29e8fddae_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-APG038N01G_C5443671.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für APG038N01G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffizientes Schalten mit niedrigem RDS(ON) und geringer Gate-Ladung.