ProjektePreiseInsights

APG046N01G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

APG046N01G product

APG046N01G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der APG046N01G ist ein 100V, 85A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Controller
  • Lastschalter
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 3V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Treiber-Schaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
85 A
RDS(ON)
3,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Schaltanwendungen

Datenblatt

7ad1f7c8b5c328c8caa5a40e22af1815_2208101800_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-APG046N01G_C2995348.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für APG046N01G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET für Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen, der sich durch einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.