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APG070N12G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

APG070N12G product

APG070N12G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal120VPDFN5x6

Der APG070N12G ist ein 120V, 90A N-Kanal-MOSFET im PDFN5x6-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschaltung
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Durchsteckmontage erfordern
  • Extrem platzkritische Designs unter 5x6mm

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerfähigkeit

Wichtige Specs

VDS
120 V
ID
90 A
RDS(on)
6,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Schaltanwendungen

Datenblatt

04bcfa55e4cdcf2e035834dc34e21abe_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-APG070N12G_C5443658.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für APG070N12G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung optimiert ist.