ProjektePreiseInsights

APG250N01Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

APG250N01Q product

APG250N01Q

MOSFETs - Single

N-Kanal100VMOSFETPDFN3x3

Der APG250N01Q ist ein 100V, 25A N-Kanal-MOSFET im kompakten PDFN3x3-8L-Gehäuse, optimiert für Power-Management und PWM-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Power-Management
  • PWM-Steuerung
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von über 100V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
25 A
RDS(on)
20 mΩ (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power-ManagementPWM-Steuerung

Datenblatt

9799177a0aa7bf0cc637509d0b82e567_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-APG250N01Q_C5443731.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für APG250N01Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von ALLPOWER, der Split-Gate-Trench-Technologie für verbesserte Effizienz nutzt.