ProjektePreiseInsights

ASA65R550E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASA65R550E product

ASA65R550E

FETs

MOSFET700VN-Kanal

Der ASA65R550E ist ein 700V N-Kanal-MOSFET von ANHI, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen wie PFC- und Flyback-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Boost-PFC
  • Flyback-Wandler
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder SMD-Montage erfordern (dies ist ein THT-Bauteil im TO-220F-Gehäuse).

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für das TO-220F-Gehäuse
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
700 V
ID
8 A
RDS(on)
550 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

68d54922a63788174f8abf7e9759c224_2303271030_ANHI-ASA65R550E_C5440003.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASA65R550E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 700V und einem Einschaltwiderstand von 550mΩ.