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ASB65R220E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASB65R220E product

ASB65R220E

FETs

MOSFET650VLeistungsschalter

Der ASB65R220E ist ein 650V, 20A N-Kanal-MOSFET von ANHI Semiconductor, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Netzteil-Design
  • PFC-Stufen
  • Industrielle Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen
  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC = 0,99°C/W)
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
650V
ID
20A
RDS(on)
220mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

cfc22c1139cfbda70706e3df31867687_2309251426_ANHI-ASB65R220E_C18199767.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASB65R220E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET für Hochspannungs-Schaltanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 650V und einem Dauerstrom von 20A.