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ASB65R300E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASB65R300E product

ASB65R300E

FETs

MOSFETN-Kanal700VLeistung

Der ASB65R300E ist ein 700V, 15A N-Kanal-MOSFET von ANHI, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Boost-PFC
  • Flyback-Wandler
  • LLC-Resonanzwandler
  • Server-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) oder eine geringere Gate-Ladung entscheidend ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für das TO-263-Gehäuse
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
700 V
ID
15 A
RDS(on)
300 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

a74ba8fa26db88e1f8a5801170fa1b1e_2303271030_ANHI-ASB65R300E_C5440008.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASB65R300E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 700V und einem Einschaltwiderstand von 300mΩ.