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ASD80R750E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASD80R750E product

ASD80R750E

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal850VLeistung

Der ASD80R750E ist ein 850V N-Kanal-MOSFET von ANHI, der für hocheffiziente Stromwandlungen in Flyback- und Forward-Topologien optimiert ist.

Ideal für

  • Flyback-Wandler
  • LED-Beleuchtung
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder andere Gehäuseformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Ableitung des PCB-Layouts

Wichtige Specs

VDS
850 V
ID
8,5 A
RDS(on)
620 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileLED-Beleuchtung

Datenblatt

40eaa714ef0dc75e9a51abdfd88790c9_2310191804_ANHI-ASD80R750E_C18722989.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASD80R750E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für Hochspannungsschaltanwendungen wie Netzteile und LED-Beleuchtung entwickelt wurde.