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ASDM30N120Q-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASDM30N120Q-R product

ASDM30N120Q-R

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V120A

Der ASDM30N120Q-R ist ein 30V N-Kanal-MOSFET für Hochstromanwendungen, der 120A Dauerstrom und einen niedrigen Einschaltwiderstand im kompakten DFN5x6-8-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Energieverwaltung
  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
120 A
RDS(on)
2,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

3e4533f939906196c2cbabf0fdcba16d_2202151630_ASDsemi-ASDM30N120Q-R_C2972859.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASDM30N120Q-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für schnelles Schalten und Hochstrom-Leistungsanwendungen optimiert ist.