ProjektePreiseInsights

ASDM30N55E-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASDM30N55E-R product

ASDM30N55E-R

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VPower Management

Der ASDM30N55E-R ist ein 30V N-Kanal-MOSFET, der für Power-Management-Anwendungen optimiert ist und sich durch niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnet.

Ideal für

  • Inverter-Power-Management
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V Durchbruchspannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
55 A
RDS(on)
4,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
Level 3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementInverter-Systeme

Datenblatt

f08946e4de4db9cbae9b8796ecab443b.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASDM30N55E-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-MOSFET für Inverter-Systeme, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.