ASDM40N52E-R Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | ASDsemi | PartGenie

KI-Zusammenfassung

ASDM40N52E-R product

Der ASDM40N52E-R ist ein 40V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlung optimiert ist und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem kompakten DFN3.3x3.3-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

DC/DC-Wandler
Server-Netzteile
Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit Spannungen deutlich über 40V
Designs, bei denen der Platzbedarf nicht kritisch ist und größere Gehäuse bevorzugt werden

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitung und thermisches Design
Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss: 40 V
Id: 52 A
RDS(on): 4,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASDM40N52E-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 4,2mΩ.