ProjektePreiseInsights

ASDM60N70Q-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASDM60N70Q-R product

ASDM60N70Q-R

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der ASDM60N70Q-R ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DFN5*6-8-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 2,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung bei hohen Strömen

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
64 A
Rds(on)
6,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASDM60N70Q-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 60V N-Kanal-MOSFET mit Trench-Power-DTMOS-Technologie für schnelle Schaltanwendungen.