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ASW50R130E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASW50R130E product

ASW50R130E

FETs

MOSFETN-Kanal550VLeistung

Der ASW50R130E ist ein 550V, 30A N-Kanal-MOSFET von ANHI Semiconductor, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen wie PD-Adapter und LED-Beleuchtung optimiert ist.

Ideal für

  • PD-Adapter
  • PC-Netzteile
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-batteriebetriebene Anwendungen, bei denen RDS(on) und Gate-Ladung entscheidend für die Effizienz sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse (0,8°C/W) und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
550 V
ID
30 A
RDS(on)
130 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileLED-Beleuchtung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASW50R130E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.