ProjektePreiseInsights

ASW60R029EFD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASW60R029EFD product

ASW60R029EFD

MOSFETs - Single

MOSFET650VTO-247

Der ASW60R029EFD ist ein 650V N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, optimiert für leistungsstarke Soft-Switching-Anwendungen.

Ideal für

  • PFC
  • LLC
  • EV-Laden

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Low-Power-Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
90 A
RDS(on)
29 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

418e5f4ff7561924dc84ad03ad222980_2311161804_ANHI-ASW60R029EFD_C19192886.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASW60R029EFD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen leistungsstarken N-Kanal-MOSFET von ANHI, der für 650V und 90A ausgelegt ist und sich für anspruchsvolle Stromwandlungsaufgaben eignet.