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ASW65R038EFD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASW65R038EFD product

ASW65R038EFD

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal655VTO-247

Der ASW65R038EFD ist ein 655V, 80A N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Wandler
  • EV-Ladetechnik

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-batteriebetriebene Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungspegel
  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
655 V
ID
80 A
RDS(on)
38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASW65R038EFD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen.