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ASW65R072EFDA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ASW65R072EFDA product

ASW65R072EFDA

FETs

MOSFETN-Kanal700VTO-247

Der ASW65R072EFDA ist ein 700V N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, der für Hochleistungs-Schaltanwendungen wie EV-Ladegeräte und Solarwechselrichter optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsumwandlung
  • EV-Ladetechnik
  • Solarwechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
700 V
ID
54 A
RDS(on)
72 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

b938c3ca9684695cc38b93fd096038f6_2310111148_ANHI-ASW65R072EFDA_C7494993.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ASW65R072EFDA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen leistungsstarken Silizium-N-Kanal-MOSFET von ANHI Semiconductor, der für 700V und 54A ausgelegt ist und in einem TO-247-Gehäuse geliefert wird.