AUD069N10A Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | ANHI Semiconductor | PartGenie

KI-Zusammenfassung

AUD069N10A product

Der AUD069N10A ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für schnelles Schalten und Stromwandlung.

Ideal für

SMPS
DC/DC-Wandler
Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr kleine Bauformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss: 100 V
Id: 116 A
Rds(on): 5,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AUD069N10A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Silizium-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V, der bis zu 116A Dauerstrom schalten kann.