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AUIRFR5305TR-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AUIRFR5305TR-HXY product

AUIRFR5305TR-HXY

FETs

P-KanalMOSFET60VDPAK

Der AUIRFR5305TR ist ein P-Kanal-MOSFET mit 60V und 30A im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter
  • Batterieschutz

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Strömen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-30 A
RDS(on)
33 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

f7718d32efc7d5be71dc179e827e08ac_2403261741_HXY-MOSFET-AUIRFR5305TR-HXY_C22367145.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AUIRFR5305TR-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und auf niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.