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AUP065N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AUP065N10 product

AUP065N10

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTO-220

Der AUP065N10 ist ein 100V, 76A N-Kanal-MOSFET von ANHI Semiconductor, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen im TO-220-Gehäuse konzipiert ist.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Energiemanagementsysteme
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern (verwenden Sie stattdessen die DFN5x6-Version AUN065N10).

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Kühlkörperanforderungen für den Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
76 A
RDS(on)
6,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

88eb18474b4fa5277dc1fc49e694d7a5_2310191804_ANHI-AUP065N10_C18722995.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AUP065N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AUP065N10 ist ein N-Kanal-Silizium-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für niedrige Gate-Ladung und schnelles Schalten optimiert ist.