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BAR6502VH6327XTSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BAR6502VH6327XTSA1 product

BAR6502VH6327XTSA1

Diodes - RF

PIN-DiodeHFInfineon

Die BAR65-02V ist eine leistungsstarke Silizium-PIN-Diode, die für HF-Schaltanwendungen in der Mobilkommunikation und bei TV-Tunern optimiert ist.

Ideal für

  • HF-Schaltung
  • Mobilkommunikation
  • TV-Tuner-Bandumschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

Durchlasswiderstand
0,65 Ω
Kapazität
0,5 pF
Sperrspannung
30 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

HF-Konnektivität

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BAR6502VH6327XTSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Silizium-PIN-Diode von Infineon, die speziell für verlustarme HF-Sende-Empfangs-Schalter und Bandumschaltungen entwickelt wurde.