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BC857C(3G) KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BC857C(3G) product

BC857C(3G)

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-23Verstärker

Der BC857C ist ein PNP-BJT-Transistor für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen im SOT-23-Gehäuse mit hoher Stromverstärkung (hFE 420-800).

Ideal für

  • Allgemeine Signalverstärkung
  • Schaltkreise mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 200mW Verlustleistung
  • Schaltungen mit Spannungen über 45V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei Dauerbetrieb nahe 200mW
  • Pin-Kompatibilität mit dem SOT-23-Standard

Wichtige Specs

VCEO
45 V
IC
100 mA
hFE
420 - 800

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Signalverarbeitung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BC857C(3G) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BC857C ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Transistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen, der sich durch eine hohe DC-Stromverstärkung (hFE) der Gruppe C (420-800) auszeichnet.