BCD7N65 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | baocheng | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BCD7N65 product

Der BCD7N65 ist ein 650V, 7A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

Leistungsfaktorkorrektur
Schaltnetzteile
LED-Treiber

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand oder eine höhere Leistungsaufnahme als das TO-252-Gehäuse bieten kann, erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung: 650 V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 7 A
Einschaltwiderstand: 1,4 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BCD7N65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BCD7N65 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf planarer VDMOS-Technologie basiert und für 650V und 7A ausgelegt ist.