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BCD80N06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BCD80N06 product

BCD80N06

Component

MOSFETN-Kanal60V80ALeistung

Der BCD80N06 ist ein 60V, 80A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-4R-Gehäuse, der für niedrigen RDS(on) und effizientes Schalten in Energieverwaltungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 2V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDSS
60 V
ID
80 A
RDS(on)
7 mΩ

Anwendung

EnergieverwaltungLastschaltung

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffizientes Schalten und Energieverwaltung entwickelt wurde.