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BCD90N03 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BCD90N03 product

BCD90N03

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V90ATO-252

Der BCD90N03 ist ein 30V, 90A N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten in TO-252-Gehäusen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V
  • Sehr platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
30 V
ID
90 A
RDS(ON) (max)
4.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementPWM-Steuerung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BCD90N03 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für 30V und 90A, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und geringe Gate-Ladung.