BCT12N65 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | baocheng | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BCT12N65 product

Der BCT12N65 ist ein 650V, 12A N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

Leistungsfaktorkorrektur
Schaltnetzteile
LED-Treiber

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern, die über die Fähigkeiten von planarem VDMOS hinausgehen.

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen für das TO-220F-Gehäuse.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung: 650 V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 12 A
RDS(on) (Max): 0,8 Ω
Gate-Ladung: 41,9 nC

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileLED-Treiber

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BCT12N65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BCT12N65 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf planarer VDMOS-Technologie basiert und für 650V und 12A ausgelegt ist.