Was sind die wichtigsten Spezifikationen des BD238G?

Er bietet eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -80V, einen Kollektorstrom von -2A und eine Verlustleistung von 1,25W.

Wie lautet das Pinout von BD238G?

Nutzen Sie das Datenblatt von BD238G für das offizielle Pinout und die Pin-Namen. In PartGenie können Sie Datasheet AI zu Pinout, Versorgung und Schnittstellen von BD238G befragen.

BD238G Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | UTC

KI-Zusammenfassung

Der BD238G ist ein -80V, 2A PNP-BJT-Transistor im TO-126-Gehäuse, der für Anwendungen mit hoher Verstärkung und Spannung optimiert ist.

Ideal für

Allgemeine Schaltanwendungen
Verstärkerschaltungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die Hochfrequenzleistung über 3 MHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Pinbelegung

Wichtige Specs

VCEO: -80 V
IC: -2 A
Gehäuse: TO-126

Anwendung

Allgemeine AnwendungenLeistungsschaltung

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BD238G ist ein PNP-Epitaxial-Planar-Siliziumtransistor von UTC, der für Hochspannungs- und Hochverstärkungsanwendungen entwickelt wurde.