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BFP193WH6327XTSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFP193WH6327XTSA1 product

BFP193WH6327XTSA1

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

RF-TransistorNPNRauscharm

Der BFP193W ist ein leistungsstarker NPN-RF-Transistor, der für rauscharme, verstärkungsstarke Breitbandverstärker bis 2 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • RF-Breitbandverstärker
  • Rauscharme Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Frequenzen deutlich über 2 GHz
  • Hochleistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • ESD-Handhabungsprotokolle
  • Wärmemanagement bei hoher Verlustleistung

Wichtige Specs

Transitfrequenz
8 GHz
Rauschzahl
1 dB @ 900 MHz
Kollektorstrom
80 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

RF-Verstärker

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP193WH6327XTSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BFP193W ist ein Silizium-Bipolar-RF-Transistor für rauscharme, verstärkungsstarke lineare Breitbandverstärker bis zu einer Frequenz von 2 GHz.