BFP640ESDH6327 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon Technologies | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BFP640ESDH6327 product

Der BFP640ESD ist ein robuster SiGe:C NPN-RF-Transistor, der für rauscharme Verstärkeranwendungen in drahtlosen Systemen optimiert ist.

Ideal für

Rauscharme Verstärkung
HF-Frontend-Anwendungen

Vermeiden, wenn

Hochleistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

ESD-Vorsichtsmaßnahmen
Design von HF-Anpassungsnetzwerken

Wichtige Specs

Rauschzahl: 0.8 dB
Verstärkung: 19 dB
ESD-Robustheit: 2 kV (HBM)

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

KonnektivitätUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP640ESDH6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C) NPN-RF-Bipolartransistor der sechsten Generation für Hochfrequenzanwendungen.