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BFP640H6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFP640H6327 product

BFP640H6327

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

RF-TransistorSiGeLNA

Der BFP640 ist ein hochlinearer SiGe:C NPN-RF-Transistor, der für rauscharme Verstärkeranwendungen bis zu 8 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • Rauscharme Verstärkung
  • Hochlineare RF-Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • ESD-Handhabungsvorschriften

Wichtige Specs

Transitfrequenz
42 GHz
Rauschzahl
0.65 dB
Verstärkung
24 dB

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

KonnektivitätUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP640H6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BFP640 ist ein NPN-RF-Bipolartransistor der sechsten Generation auf SiGe:C-Basis, der für hohe Linearität und Energieeffizienz ausgelegt ist.