BFP650H6327 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BFP650H6327 product

Der BFP650 ist ein leistungsstarker SiGe:C NPN-RF-Transistor, der für hohe Linearität und geringes Rauschen in Breitbandanwendungen bis 5 GHz optimiert ist.

Ideal für

RF-Frontend-Treiberverstärker
Ausgangsstufen für aktive Antennen

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die Frequenzen deutlich über 5 GHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Bias-Bedingungen für optimale Linearität vs. Stromverbrauch

Wichtige Specs

fT: 42 GHz
VCEO: 4 V
IC: 150 mA

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

KonnektivitätAllgemeine RF

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP650H6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BFP650 ist ein NPN-RF-Transistor mit hoher Linearität, der auf der SiGe:C-Heterojunction-Technologie von Infineon basiert.