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BFP740FESDH6327XTSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFP740FESDH6327XTSA1 product

BFP740FESDH6327XTSA1

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

HF-TransistorSiGeNPNInfineon

Der BFP740FESD ist ein leistungsstarker SiGe:C NPN-RF-Transistor mit integriertem ESD-Schutz, der für drahtlose und satellitengestützte Kommunikationsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Drahtlose Kommunikations-Frontends
  • GNSS-Empfänger
  • Satelliten-LNBs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Ausgangsleistung von mehr als 21 dBm erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Layout für HF-Leistung
  • Bias-T-Konfiguration

Wichtige Specs

Transitfrequenz
47 GHz
Rauschzahl (2,4 GHz)
0,6 dB
Max. HF-Eingangsleistung
21 dBm
ESD-Robustheit (HBM)
2 kV

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Drahtlose KonnektivitätSatellitensysteme

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP740FESDH6327XTSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen breitbandigen NPN-RF-Heterojunction-Bipolartransistor (HBT) von Infineon, der auf SiGe:C-Technologie basiert und über einen integrierten ESD-Schutz verfügt.