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BFP740FH6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFP740FH6327 product

BFP740FH6327

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

SiGeRF-TransistorRauscharmInfineon

Der BFP740F ist ein leistungsstarker SiGe:C NPN-RF-Transistor, der für rauscharme Breitbandanwendungen bis 10 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • Rauscharme Verstärker (LNA)
  • VCOs
  • Pufferverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsausgangsanforderungen über 45 mA Kollektorstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

fT
45 GHz
NFmin
1.0 dB @ 5.5 GHz
Gms
21 dB @ 5.5 GHz
VCEO
4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

KonnektivitätAllgemeine HF

Datenblatt

e28d7eb856fcbd908c7deb4b710ecc54_1810170417_Infineon-Technologies-BFP740FH6327_C152652.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP740FH6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen linearen, sehr rauscharmen Breitband-NPN-Bipolar-RF-Transistor auf Basis der Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Technologie.