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BFP840FESDH6327XTSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFP840FESDH6327XTSA1 product

BFP840FESDH6327XTSA1

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

RF-TransistorSiGeNPN5 GHz

Der BFP840FESD ist ein leistungsstarker SiGe:C NPN-RF-Transistor mit integriertem ESD-Schutz, ideal für 5-GHz-Anwendungen wie WLAN und Satellitennavigation.

Ideal für

  • WLAN
  • WiMAX
  • UWB
  • Satellitennavigationssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hohe Belastbarkeit über 20 dBm erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • ESD-Vorsichtsmaßnahmen
  • PCB-Layout für Hochfrequenzleistung

Wichtige Specs

Transitfrequenz
85 GHz
Rauschzahl
0,75 dB
Verstärkung
23 dB

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

KonnektivitätAllgemeine RF

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFP840FESDH6327XTSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen diskreten RF-Heterojunction-Bipolartransistor (HBT) in SiGe:C-Technologie mit integriertem ESD-Schutz.